Amateur Extra pool, section E6A

Subelement E6

COMPONENTES DEL CIRCUITO

Section E6A

Materiales y dispositivos semiconductores: materiales semiconductores; germanio, silicio, tipo P, tipo N; tipos de transistores: NPN, PNP, unión, transistores de efecto de campo: modo de realce; modo de agotamiento; MOS; CMOS; canal N; canal P

E6A01

¿En qué aplicación se utiliza el arseniuro de galio como material semiconductor?

A.
En los circuitos rectificadores de alta corriente
B.
En los circuitos de audio de alta potencia
Correct Answer
C.
En los circuitos de microondas
D.
En los circuitos de RF de muy baja frecuencia

E6A01

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E6A02

¿Cuál de los siguientes materiales semiconductores contiene un exceso de electrones libres?

Correct Answer
A.
Tipo N
B.
Tipo P
C.
Bipolar
D.
Puerta aislada

E6A02

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E6A03

¿Por qué un diodo de unión PN no conduce la corriente cuando está sesgado al revés?

A.
Sólo el material semiconductor tipo P puede conducir la corriente
B.
Sólo el material semiconductor de tipo N puede conducir la corriente
Correct Answer
C.
Los agujeros en el material de tipo P y los electrones en el material de tipo N están separados por el voltaje aplicado, ampliando la región de agotamiento
D.
El exceso de agujeros en el material tipo P se combina con los electrones en el material tipo N, convirtiendo todo el diodo en un aislante

E6A03

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E6A04

¿Cómo se llama un átomo de impureza que añade agujeros a una estructura de cristal semiconductor?

A.
Impureza del aislante
B.
Impureza de tipo N
Correct Answer
C.
Impureza del aceptante
D.
Impureza del donante

E6A04

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E6A05

¿Cómo se compara la impedancia de entrada de DC en la puerta de un transistor de efecto de campo con la impedancia de entrada de DC de un transistor bipolar?

A.
Ambos son de baja impedancia
B.
Un FET tiene una menor impedancia de entrada
Correct Answer
C.
Un FET tiene una mayor impedancia de entrada
D.
Ambos son de alta impedancia

E6A05

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E6A06

¿Qué es la beta de un transistor de unión bipolar?

A.
La frecuencia a la que la ganancia de corriente se reduce a 0.707
Correct Answer
B.
El cambio de la corriente del colector con respecto a la corriente de base
C.
El voltaje de ruptura de la base a la unión del colector
D.
La velocidad de conmutación

E6A06

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E6A07

¿Cuál de los siguientes indica que un transistor de unión de NPN de silicio está sesgado?

A.
La resistencia de la base al emisor es de aproximadamente 6 a 7 ohmios
B.
La resistencia de base a los emisores es de aproximadamente 0.6 a 0.7 ohmios
C.
El voltaje de la base al emisor es de aproximadamente 6 a 7 voltios
Correct Answer
D.
Voltaje de base a emisor de aproximadamente 0.6 a 0.7 voltios

E6A07

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E6A08

¿Qué término indica la frecuencia a la que la ganancia de corriente de base terrestre de un transistor ha disminuido a 0,7 de la ganancia obtenida a 1 kHz?

A.
Frecuencia de esquina
B.
Frecuencia de rechazo alfa
C.
Frecuencia de corte Beta
Correct Answer
D.
Frecuencia de corte alfa

E6A08

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E6A09

¿Qué es un FET en modo de agotamiento?

Correct Answer
A.
Un FET que exhibe un flujo de corriente entre la fuente y el drenaje cuando no se aplica un voltaje de puerta
B.
Un FET que no tiene flujo de corriente entre la fuente y el drenaje cuando no se aplica un voltaje de puerta
C.
Cualquier FET sin un canal
D.
Cualquier FET para el cual los agujeros son los portadores mayoritarios

E6A09

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E6A10

En la Figura E6-1, ¿cuál es el símbolo esquemático de un MOSFET de doble puerta de canal N?

A.
2
Correct Answer
B.
4
C.
5
D.
6

E6A10

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E6A11

En la figura E6-1, ¿cuál es el símbolo esquemático de una unión del canal P FET?

Correct Answer
A.
1
B.
2
C.
3
D.
6

E6A11

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E6A12

¿Por qué muchos dispositivos MOSFET tienen conectados internamente diodos Zener en las puertas?

A.
Para proporcionar una referencia de voltaje para la cantidad correcta de voltaje de la puerta de reversa
B.
Para proteger el sustrato de tensiones excesivas
C.
Para mantener el voltaje de la puerta dentro de las especificaciones y evitar que el dispositivo se sobrecaliente
Correct Answer
D.
Para reducir la posibilidad de daños por estática en la puerta

E6A12

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