Amateur Extra pool, section E6A

Subelement E6

COMPONENTES DE CIRCUITO

Section E6A

Materiales y dispositivos semiconductores: materiales semiconductores; transistores de unión bipolar; operación y tipos de transistores de efecto de campo

E6A01

¿En qué aplicación se utiliza el arseniuro de galio como material semiconductor?

A.
En circuitos rectificadores de alta corriente
B.
En circuitos de audio de alta potencia
Correct Answer
C.
En circuitos de microondas
D.
En circuitos de RF de muy baja frecuencia

E6A01

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E6A02

¿Cuál de los siguientes materiales semiconductores contiene un exceso de electrones libres?

Correct Answer
A.
Tipo N
B.
Tipo P
C.
Bipolar
D.
Puerta aislada

E6A02

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E6A03

¿Por qué un diodo de unión PN no conduce corriente cuando está polarizado en reversa?

A.
Solo el material semiconductor de tipo P puede conducir corriente
B.
Solo el material semiconductor de tipo N puede conducir corriente
Correct Answer
C.
Los huecos en el material de tipo P y los electrones en el material de tipo N son separados por la tensión aplicada, ensanchando la región de agotamiento
D.
Los huecos en el material de tipo P se combinan con los electrones en el material de tipo N, convirtiendo todo el diodo en un aislante

E6A03

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E6A04

¿Cuál es el nombre que se le da a un átomo de impureza que añade huecos a la estructura cristalina de un semiconductor?

A.
Impureza aislante
B.
Impureza de tipo N
Correct Answer
C.
Impureza aceptora
D.
Impureza donante

E6A04

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E6A05

¿Cómo se compara la impedancia de entrada de CC en la puerta de un transistor de efecto de campo (FET) con la de un transistor bipolar?

A.
Ambos tienen baja impedancia
B.
Un FET tiene menor impedancia de entrada
Correct Answer
C.
Un FET tiene mayor impedancia de entrada
D.
Ambos tienen alta impedancia

E6A05

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E6A06

¿Qué es el beta de un transistor de unión bipolar?

A.
La frecuencia a la que la ganancia de corriente se reduce a 0.707
Correct Answer
B.
El cambio en la corriente del colector con respecto al cambio en la corriente de base
C.
El voltaje de ruptura de la unión base-colector
D.
La velocidad de conmutación

E6A06

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E6A07

¿Cuál de las siguientes indica que un transistor de unión NPN de silicio está polarizado?

A.
Resistencia base-emisor de aproximadamente 6 ohmios a 7 ohmios
B.
Resistencia base-emisor de aproximadamente 0.6 ohmios a 0.7 ohmios
C.
Voltaje base-emisor de aproximadamente 6 voltios a 7 voltios
Correct Answer
D.
Voltaje base-emisor de aproximadamente 0.6 voltios a 0.7 voltios

E6A07

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E6A08

¿Cuál es el término para la frecuencia a la que la ganancia de corriente de base conectada a tierra de un transistor de unión bipolar ha disminuido a 0.7 de la ganancia obtenible a 1 kHz?

A.
Frecuencia de esquina
B.
Frecuencia de rechazo alfa
C.
Frecuencia de corte beta
Correct Answer
D.
Frecuencia de corte alfa

E6A08

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E6A09

¿Qué es un transistor de efecto de campo (FET) en modo de agotamiento?

Correct Answer
A.
Un FET que muestra un flujo de corriente entre la fuente y el drenaje cuando no se aplica voltaje de puerta
B.
Un FET que no tiene flujo de corriente entre la fuente y el drenaje cuando no se aplica voltaje de puerta
C.
Un FET que muestra una movilidad de electrones muy alta debido a la falta de huecos en el material de tipo N
D.
Un FET para el cual los huecos son los portadores mayoritarios

E6A09

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E6A10

En la Figura E6-1, ¿cuál es el símbolo esquemático de un MOSFET de doble puerta de canal N?

A.
2
Correct Answer
B.
4
C.
5
D.
6

E6A10

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E6A11

En la Figura E6-1, ¿cuál es el símbolo esquemático de un FET de unión de canal P?

Correct Answer
A.
1
B.
2
C.
3
D.
6

E6A11

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E6A12

¿Cuál es el propósito de conectar diodos Zener entre la puerta de un MOSFET y su fuente o drenaje?

A.
Proporcionar una referencia de voltaje para la cantidad correcta de voltaje de polarización inversa en la puerta
B.
Proteger el sustrato de voltajes excesivos
C.
Mantener el voltaje de la puerta dentro de las especificaciones y evitar que el dispositivo se sobrecaliente
Correct Answer
D.
Proteger la puerta de daños por estática

E6A12

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